SICV200是用来测量Si和SiC衬底以及同质外延层的电性参数的设备；
SICV200可以测试材料的电容，电阻率，载流子掺杂浓度，耗尽层深度，德拜长度，相位角，电导，介电常数，氧化层电容，界面态密度，击穿电压等参数;
SICV200可用于监控外延/拉晶工艺中载流子掺杂量和载流子的分布状况；
SICV200 全自动的传输机构能够提升测试的效率和晶圆放置的位置的准确性。
优势
核心的电容表是国内自主研发不依赖于进口彻底摆脱了欧美公司卡脖子的问题；
CRT40电容表的稳定性好可靠性高，维修和校准的周期都比同行业的要短；
手动更换接触金属的方式可以缩短PM的时间，设备测试的稳定性和动用率都有提升；
符合semi标准的全自动方案，亦可根据客户的需求做灵活的定制软件功能；
针对客户在使用国外同类产品的痛点以及客户提出的改进建议，SICV设备均作了相应的改进和优化。
特征
根据客户的需求可灵活的定制半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案；
自主开发CRT40电容表具备良好的稳定性和精度；
变频分析支持 20kHz to1MHz；
支持各种不同尺寸晶圆；
