Eos200 4/5/6/8寸兼容外延层膜厚测量设备 ；
具有内置预对准器的工业标准机器人晶圆传输系统；
模块化设计的光学单元；
采用新的红外光谱仪技术，可以实现同时测量碳化硅缓冲层及多层外延的厚度；
风冷红外光源和激光器及防潮设计可降低维护成本以及延长设备正常运行时间；
完全符合SECS/GEM标准，SECS接口支持本地控制操作，主机通过HSMS/SECS-1协议进行的远程控制操作；
具有友好的用户界面的客户服务器架构允许快速数据收集和二维或三维成像；
已通过SEMI S2认证；
Eos200+ 4/5/6/8寸兼容元素与外延层膜厚测量设备
配备优睿谱元素与外延膜厚分析系统；
可测量Si-H,Si-N和N-H等化学键含量;
可测量B/P/F元素浓度含量；
优势
利用FTIR技术实现外延厚度的非接触测量，同时具备高运行产能；
能够确定无图案或有图案的晶圆上的外延厚度，并可测量生长了多层的外延层；
测量可追溯至内部黄金标准；
友好的用户界面，方便快捷的程序设置；
为碳化硅外延膜厚测量定制设计的全域拟合算法；
可以测量碳化硅外延片缓冲层厚度；
可以测量碳化硅外延片多缓冲层和多外延层厚度。
特征
能够区分源晶圆盒和目标晶圆盒；
FROC自主知识产权，无需额外参考晶圆；
具有平台设计的双机器人手臂，可实现高稳定性和高产能；
光学系统采用ZnSe分束器和带有室温DTGS检测器，不需要氮气吹扫来驱除水分，有效降低维护费用；
能够根据客户的特殊要求为系统软件提供相应的定制。
