集成了紫外和近红外两套光学系统和两套膜厚量测算法；
能够实现对SOI工艺顶层硅厚度从0到150um的超宽厚度范围的量测；
量测的重复性好：0-3um样品重复性0.02nm；3-150um样品重复性0.006um；
光源稳定耐用，使用寿命长，大大降低了设备的维护频率和维护成本；
可对接晶圆厂的MES系统，实现工厂自动化生产；
优势
采用双光学探头双膜厚设计，满足客户各种厚度顶层硅的量测需求；
超长寿命光源，维护成本低；
高速高精度运动平台；
特征
全域拟合算法用于薄膜量测，满足薄膜量测精度的需求；
FFT厚膜算法用于厚膜量测，极大扩宽了设备的量测范围；
